RAM은 기억 방식에 따라서 동적 RAM과 정적 RAM으로 구분한다. 동적 RAM(DRAM: Dynamic RAM)은 저장하려는 2진 정보를 충전기에 공급되는 전하의 형태로 보관한다. 이 방법은 전력 소비가 적고 단일 메모리 칩 내에 더 많은 정보를 저장할 수 있다. 그러나 충전기의 방전 현상으로 인한 정보의 손실을 막기 위해서 재충전(refresh) 회로가 필요하다. 정적 RAM(SRAM: Static RAM)은 주로 2진 정보를 저장하는 내부 회로가 플립플롭으로 구성되며, 저장된 정보는 전원이 공급되는 동안 그대로 보존된다. 그리고 사용하기 쉽고 읽기와 쓰기 동작 사이클이 동적 RAM보다 짧다.
RAM을 반도체 기억장치를 만드는 데 사용하는 소자에 따라 분류할 수도 있다. 트랜지스터-트랜지스터 논리(TTL: Transistor-Transistor Logic)의 바이폴라(bipolar) RAM과 금속 산화막 반도체(Metal Oxide Semiconductor) RAM이 있다. 바이폴라와 MOS를 조합하여 기억장치 소자를 제작하는 BiMOS RAM도 있다. [ 그림 7-23 ]은 RAM의 제조상 분류를 나타낸 것이다. 바이폴라 RAM은 SRAM 방식으로 기억하는 형태다. MOS RAM은 SRAM과 DRAM 두 가지 기억방식 형태가 있다.
[ 그림 7-23 ]