초기에 많이 사용되던 임의 접근 컴퓨터 기억장치다. 비휘발성의 특징이 있어 기억장치의 내용은 전원 공급에 문제가 있거나 소프트웨어가 충돌하여도 손실되지 않는다. 작은 자기 세라믹 링에 전류를 흘려 보내서 이때 발생하는 자기장으로 정보를 저장하는 방식으로 데이터를 저장한다.

[ 그림 7-12 ] 는 자기 코어의 구조를 나타낸 것이다. (a)에서와 같이 자기 코어는 링(ring) 모양이며, 그 재료는 페라이트(Ferrite)라는 자성 물질로 자화가 쉽고 한번 자화되면 외부 영향이 없는 한 그 상태를 계속해서 유지하는 매우 우수한 기억장치다. 링의 지름이 0.3~0.5mm 정도이며 링 중앙을 관통하는 여러 개의 선에 의하여 코어의 자화 상태를 제어한다. (b)와 (c)는 데이터 1과 0이 저장되는 원리를 나타낸 것으로 암페어의 오른쪽 나사 법칙을 따른다. 전류가 흐르는 방향에 따라서 발생하는 자기장의 방향이 결정되고 자기장 방향에 따라 1과 0을 결정한다. 이때 1개의 자기 코어가 1비트의 데이터를 기억하므로 기억소자(memory cell)가 된다.

[ 그림 7-12 ]

자기 코어 중앙에는 X, Y, Z, S의 네 개 선이 관통한다. [ 그림 7-13 ]은 자기 코어 내부 구조를 나타낸 것이다. 두 개의 구동 선(driving wire) X와 Y 선은 0.5V의 전류를 흘려 교차점이 자화되도록 한다. 감지 선(sense wire)S 자기 코어의 상태를 검출하는 역할을 한다. 금지선(inhibit wire)Z는 코어에 불필요한 코아가 자화된 경우 -0.5V 금지 전류를 이용하여 코어의 자화를 소거하는 역할을 한다.

[ 그림 7-13 ]

자기 코어가 실제적인 기억장치를 구성하려면 행렬 구조로 배치되어야 한다. 이것을 자기 코어의 행렬(magnetic core matrix)이라고 하며 평판으로 된 기판에 가로와 세로로 자기 코어를 4096(64x6x)개 또는 16384(128x128)개 배치한다. [ 그림 7-14 ]는 자기 코어 행렬의 구성을 나타낸 것이다. (a)에서 한 장의 자기 코어 행렬 면을 코어 플레인(core plane)이라고 한다. 그리고 (b)처럼 코어 플레인을 필요한 매수만큼 겹쳐서 기억장치의 한 단위로 한 것을 코어 스택(core stack)